|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5173QH0-YK0)Код товара: 76137 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5173DB0-CK0)Код товара: 74389 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 [M378B5173EB0-CK0]Код товара: 76766 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5173QH0-CK0)Код товара: 76244 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR3 PC3-12800 4GB (M471B5273CH0-CK0)Код товара: 76415 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [M471B5173DB0-YK0]Код товара: 76179 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (M471B5273EB0-CK0)Код товара: 76414 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273DH0-CK0]Код товара: 76144 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5173BH0-CK0Код товара: 76285 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-10600 [M471B5273CH0-CH9]Код товара: 77953 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 M378B5273EB0-CK0Код товара: 76769 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 M378B5173EB0-YK0Код товара: 77026 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung DDR3 PC3-10600 4GB (M378B5273DH0-CH9)Код товара: 76447 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SO-DIMM CPC3-12800 [M471B5173EB0-YK0]Код товара: 76155 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 [M378B5173EB0-CK0D0]Код товара: 77253 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5173CB0-YK0]Код товара: 76592 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5173BH0-YK0]Код товара: 76787 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5173QHY-YK0Код товара: 77586 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [M471B5273CH0-YK0]Код товара: 76717 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 M471B5273EB0-YK0Код товара: 77326 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung DDR3 PC3-12800 4GB (M378B5273DH0-CK0)Код товара: 77070 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5273CH0-CK0)Код товара: 76806 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|
|
Оперативная память Samsung 4GB DDR3 PC3-12800 (M378B5173BH0-CK0)Код товара: 77200 4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В |
- |
|